特許
J-GLOBAL ID：200903077592927266
X線撮像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071692
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274446
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 信号線と他の導電領域との間の容量カップリングを低減し、X線撮像装置における信号線のノイズ成分を低減する。【解決手段】 検出部に入射したX線を電荷に変換する変換膜24と、各画素に対応して設けられ変換膜で変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、蓄積容量に蓄積された電荷を読み出す薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにそのオン・オフ状態を制御する信号を供給する走査線15と、走査線からの信号によってオン状態となった薄膜トランジスタを通して蓄積容量に蓄積された電荷が送出される信号線12と、ゲート絶縁膜17よりも下層側かつ信号線よりも上層側に設けられた下層側絶縁膜13と、ゲート絶縁膜よりも上層側かつ変換膜よりも下層側に設けられた上層側絶縁膜22とを有する。
請求項（抜粋）：
複数配列された画素からなる検出部に入射したX線を電荷に変換する変換膜と、各画素に対応して設けられ前記変換膜で変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、この蓄積容量に対応して設けられこの蓄積容量に蓄積された電荷を読み出し前記変換膜の下層側に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタにそのオン・オフ状態を制御する信号を供給する走査線と、この走査線からの信号によってオン状態となった薄膜トランジスタを通して前記蓄積容量に蓄積された電荷が送出され前記薄膜トランジスタの下層側に設けられた信号線と、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となる第1の絶縁膜よりも下層側かつ前記信号線よりも上層側に設けられた第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜よりも上層側かつ前記変換膜よりも下層側に設けられた第3の絶縁膜とを有することを特徴とするX線撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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