特許
J-GLOBAL ID：200903077603227415
III族窒化物半導体膜の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274399
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111617
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【目的】 III族窒化物半導体膜を窒素ラジカルビームを用いて分子線エピタキシャル成長させる時にも、平坦な成長表面が得られるようにする。【構成】 試料基板20の表面上への III族窒化物半導体膜の成長開始時から成長完了時までの間の少なくとも任意時点にあって、シャッタ15またはバルブ16を開閉することで窒素ラジカル源12からの窒素ラジカルビームを断続する。
請求項（抜粋）：
III族元素源からの III族元素と窒素励起種を含むラジカル源からのラジカルビームとを、真空環境下で温度制御された基板表面に照射し、該基板表面上に III族窒化物半導体膜を分子線エピタキシャル成長させる III族窒化物半導体膜の成長方法であって;上記基板表面上への III族窒化物半導体膜の成長開始時から成長完了時までの間の少なくとも任意時点に、上記ラジカルビームを断続的に照射することで成長表面の平坦性を回復させる表面平坦化工程を含むこと;を特徴とする III族窒化物半導体膜の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C30B 23/08
, C30B 29/38
, H01L 33/00
H01L 21/203 M
, C30B 23/08 M
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
