特許
J-GLOBAL ID：200903077609166086
化学気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014088
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203831
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 化学気相成長方法でエピタキシャル成長により高濃度不純物を含む低抵抗の第1層と、低濃度不純物を含む第1層より高抵抗の第2層とを形成する際に発生する第1層目と第2層目の界面近傍に発生する深さ方向のSR値のプロファイルのダレ及び中心部と周辺部のその相違をなくする。【構成】 基体上に、高濃度不純物を含む低抵抗の第1層と、低濃度不純物を含む第1層より高抵抗の第2層とを、順に成長させる化学気相成長方法において、前記第1層を成長させた後に、その上に不純物を含まないアンドープ層を成長させ、しかる後前記第2層をアンドープ層上に成長させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基体上に、高濃度不純物を含む低抵抗の第1層と、低濃度不純物を含む第1層より高抵抗の第2層とを、順に成長させる化学気相成長方法において、前記第1層を成長させた後、その上に不純物を含まないアンドープ層を成長させ、しかる後前記第2層をアンドープ層上に成長させることを特徴とする化学気相成長方法。
引用特許：
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