特許

J-GLOBAL ID：200903077619633405

補助電極を有するMOS電界効果トランジスタ

発明者： イェネー ティハニー
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-585937
公開番号（公開出願番号）：特表2002-531952
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2002年09月24日
要約：

【要約】本発明は、低いオン抵抗Ronを有するMOS電界効果トランジスタに関し、このMOS電界効果トランジスタでは、1つの伝導形の複数の半導体領域(3)の間のドリフト区間に補助電極(11)が設けられており、この補助電極(11)は多結晶シリコン(12)から成り、多結晶シリコン(12)は絶縁層(5)によって周囲を囲まれている。

請求項（抜粋）：

MOS電界効果トランジスタであって、 第1の主表面及び第2の主表面を有する1つの伝導形の半導体ボディ(1)を有し、該半導体ボディ(1)において前記第1の主表面の側に第1の伝導形とは正反対の他の伝導形の少なくとも1つの第1の半導体ゾーン(6)が埋め込まれており、 前記1つの伝導形の少なくとも1つの第2の半導体ゾーン(7)を有し、該第2の半導体ゾーン(7)は前記第1の半導体ゾーン(6)に設けられており、 前記第2の半導体ゾーン(7)と前記半導体ボディ(1)との間の前記第1の半導体ゾーン(6)の少なくとも上方の領域にゲート電極(9)を有し、 前記半導体ボディ(1)に前記第2の主表面において接続する第1の電極(D)を有し、及び、少なくとも前記第2の半導体ゾーン(7)に接続する第2の電極(10;S)を有する、MOS電界効果トランジスタにおいて、 前記半導体ボディ(1)には、絶縁層(5)を有する少なくとも1つの補助電極(11)が設けられており、該補助電極(11)は前記半導体ボディ(1)の前記第1の主表面と第2の主表面との間の方向に延在しており、前記第1の半導体ゾーン(6)に電気的に接続されていることを特徴とする、MOS電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/44 C ,  H01L 29/50 U

Fターム (5件)：

4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• トレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240666   出願人：三菱電機株式会社
• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048957   出願人：株式会社日立製作所
• 縦型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-240316   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-113493   出願人：株式会社東芝