特許
J-GLOBAL ID：200903077634977641

耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ

発明者：
水埜 嗣伸

水埜 嗣伸 について

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三木 壽

三木 壽 について

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佐野 晴信

佐野 晴信 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231084
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050536
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 高周波・高電圧/大電流下での損失・発熱を小さくでき、交流/直流負荷で安定した絶縁抵抗を示し、積層セラミックコンデンサにおいてニッケル等を内部電極材料として用いることができる、誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 一般式:ABO<SB>3 </SB>+aR+bMで表わされるチタン酸バリウムを主成分とする固溶体と焼結助剤とから構成される、耐還元性誘電体セラミック。Rは、La等の元素を含む化合物であり、Mは、Mn等の元素を含む化合物であり、1.000<A/B≦1.035、0.005≦a≦0.12、0.005≦b≦0.12である。このセラミックは、-25°C以上の温度領域でX線回折により求められる結晶軸比c/aが1.000≦c/a≦1.003であり、周波数1kHzの2Vrms/mm以下の電界強度下で測定した比誘電率の温度依存性において、-25°C未満にピークの最大値をとる。
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウムを主成分とする固溶体と焼結助剤とから構成され、-25°C以上の温度領域においてX線回折により求められる結晶軸比c/aが1.000≦c/a≦1.003の条件を満足し、かつ、周波数1kHzの交流であって2Vrms/mm以下の電界強度下で測定した比誘電率の温度依存性において、-25°C未満にピークの最大値をとり、前記主成分は、一般式:ABO<SB>3 </SB>+aR+bMで表わされ、前記一般式において、Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれた少なくとも1種の元素を含む化合物であり、Mは、Mn、Ni、Mg、Fe、Al、CrおよびZnから選ばれた少なくとも1種の元素を含む化合物であり、aおよびbは、各前記化合物中に前記元素が1元素含まれる化学式に換算したときのモル値を示し、1.000<A/B≦1.035、0.005≦a≦0.12、および0.005≦b≦0.12である、耐還元性誘電体セラミック。
IPC (2件)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
FI (2件)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
Fターム (8件)：
5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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