特許

J-GLOBAL ID：200903077715240651

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 安井 尚輝 ,  田村 仁
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-006045
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196640
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】 高速で高精度のエッチング処理に好適なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 真空俳気装置が接続され内部を減圧可能な処理室104と、処理室104内へのガス供給装置105と、処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材(ウエハ)114に高周波電圧を印加する高周波電圧印加手段とから成るプラズマ処理装置において、前記高周波電圧印加手段は、パルス電圧を生成する高周波パルス電源303と、パルス電圧波形を正弦波電圧波形に変換する手段302と、パルス電圧波形と正弦波電圧波形を選択する手段301を備え、パルス電圧波形または変換された正弦波電圧波形を被処理材114に印加する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、該処理室内へのガス供給装置と、処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、被処理材に高周波電圧を印加する手段とから成るプラズマ処理装置において、 前記高周波電圧を印加する手段が、パルス波形の電圧を出力する手段と、パルス波形の電圧を正弦波波形の電圧に変換して出力する手段と、パルス波形または正弦波波形の高周波電圧のいずれかを選択して被処理材に印加する手段を備えた高周波電圧印加手段であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101D ,  H05H1/46 R

Fターム (5件)：

5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318901   出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社

審査官引用 (2件)

• プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-069542   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-006680   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ