特許
J-GLOBAL ID：200903077722563369

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
大場 竜二

大場 竜二 について

, 
加藤 理一

加藤 理一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213699
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065024
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 トンネル絶縁膜の膜厚を薄くすることなくトンネル時間を短くすることができ、メモリ動作の高速化をはかる。【解決手段】 ゲート電極17とチャネル13の間に記憶情報電荷を蓄積するナノメートルスケールのSi微粒子から構成される電荷蓄積層15を有し、電子をチャネル13より電荷蓄積層15に注入して情報書き込みを行うnチャネルMOSFET構造の不揮発性半導体記憶装置において、チャネル13の直下に正孔を供給するための高濃度のP+ 型電荷供給層19を設け、この電荷供給層19から正孔をチャネル13を介して電荷蓄積層15に注入し、極性の異なる電荷同士を再結合させることにより記憶情報の消去を行う。
請求項（抜粋）：
ゲート電極とチャネルの間に記憶情報電荷を蓄積するナノメートルスケールの導電性微粒子から構成される電荷蓄積層を有し、電子又は正孔からなる第1の電荷をチャネルより電荷蓄積層に注入して情報書き込みを行うMISFET構造の不揮発性半導体記憶装置において、前記チャネルに隣接した位置に、情報書き込み時に用いた第1の電荷とは逆極性の第2の電荷を供給する高濃度の電荷供給層を有し、この電荷供給層から第2の電荷を前記チャネルを介して前記電荷蓄積層に注入し、極性の異なる電荷同士を再結合させることにより記憶情報の消去を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/115
FI (3件)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 Z ,  H01L 27/10 434
引用特許：
審査官引用 (4件)
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