特許
J-GLOBAL ID：200903077742417997
面発光レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379301
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142456
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 GaInNAs系の材料を用いた長波長帯VCSELにおいて、低閾値・高出力動作・良好な温度特性と高信頼性動作を実現する。【解決手段】 半導体基板上に、複数の量子井戸層14および障壁層13、13’を含む多重量子井戸活性層4と、該多重量子井戸活性層4の上下を挟む多層膜反射鏡を有する面発光レーザにおいて、前記量子井戸層14の少なくとも一層はGax1In1-x1Ny1Asy2Sb1-y1-y2(0<x1<1、0<y1<1、0<y2<1、0<y1+y2≦1)からなり、前記障壁層の少なくとも一層はバンドギャップ波長λgが1μm以下のGaNy3Asy4Sb1-y3-y4(0<y3<0.01、0<y4<1、0<y3+y4≦1)からなり、前記多重量子井戸活性層4の少なくとも片側に近接して引張歪閉じ込め層12a、12bを有することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、複数の量子井戸層および障壁層を含む多重量子井戸活性層と、該多重量子井戸活性層の上下を挟む多層膜反射鏡を有する面発光レーザにおいて、前記量子井戸層の少なくとも一層はGax1In1-x1Ny1Asy2Sb1-y1-y2(0<x1<1、0<y1、y2<1、0<y1+y2≦1)からなり、前記障壁層の少なくとも一層はバンドギャップ波長λgが1μm以下のGaNy3Asy4Sb1-y3-y4(0<y3<0.01、0<y4<1、0<y3+y4≦1)からなり、前記多重量子井戸活性層の少なくとも片側に近接して引張歪閉じ込め層を有することを特徴とする、面発光レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/183
, H01S5/343 610
5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA18
, 5F073CB02
