特許

J-GLOBAL ID：200903077767876627

半導体装置及びその形成方法

発明者： 五十嵐 信行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250339
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068465
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 鉛元素を必須成分とする誘電体膜を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特に還元雰囲気で処理された場合においても、その誘電体膜の劣化が生じない半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に、下部電極層4と鉛を必須成分とする誘電体膜6と上部電極層7とを有し、両電極層と誘電体膜6の層間に鉛拡散バリア層5が形成されている半導体装置。

請求項（抜粋）：

基板上に、基板に近い方から、下部電極層と、この下部電極層上に誘電体膜と、この誘電体膜を介して下部電極層と対極して形成されている上部電極層とを有する半導体装置であって、前記誘電体膜が、鉛を必須成分とする誘電体膜であり、かつ該誘電体膜と前記下部電極層の層間と、該強誘電体膜と前記上部電極層との層間の両方とに鉛拡散バリア層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C

Fターム (10件)：

5F038AC11 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038BH03 ,  5F038DF05 ,  5F083FR00 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001443   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体メモリ素子のキャパシター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-022901   出願人：三星電子株式会社