ダイヤモンドウエハのチップ化方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279761
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093751
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】基板と、気相合成ダイヤモンド薄膜と、素子からなるダイヤモンドウエハを、素子に熱損傷や熱分解した加工屑での性能低下を与えることなく、チップ化する方法を提供する。【解決手段】 YAG、CO2、エキシマレーザ等の高出力レーザにより、気相合成ダイヤモンド薄膜2にその膜厚の1/100〜1.5倍の深さの第一の溝6を加工した後、そのレーザ加工による熱分解部の加工屑の清浄をプラズマを用いて実施する。そして、ダイシングにより、基板1に前記第一の溝6に合わせて第二の溝9を加工し、ダイヤモンドウエハ4に応力を加え各チップ10に分離する。

請求項（抜粋）：

基板と、その基板上に形成された多結晶若しくは単結晶の気相合成ダイヤモンド薄膜と、その気相合成ダイヤモンド薄膜上に形成された複数の素子からなるダイヤモンドウエハを、基板ごと一素子毎に切断してチップ化するダイヤモンドウエハのチップ化方法において、レーザ加工により前記気相合成ダイヤモンド薄膜にその膜厚の1/100〜1.5倍の深さの第一の溝を加工する工程と、プラズマにより前記レーザ加工による熱分解部の清浄を実施する工程と、ダイヤモンドブレードによるカッティングにより前記第一の溝に合わせて前記基板に第二の溝を加工する工程と、その後ダイヤモンドウエハに応力を加え各チップに分離するブレーキング工程とからなることを特徴とするダイヤモンドウエハのチップ化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01C 17/06

FI (5件)：

H01C 17/06 V , H01L 21/78 Q , H01L 21/78 B , H01L 21/78 F , H01L 21/78 V

Fターム (3件)：

5E032CA01 , 5E032CC03 , 5E032CC18

引用特許：

審査官引用 (4件)

ダイヤモンドウェハのチップ化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-182713 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭60-167351
有機薄膜多層配線基板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-179723 出願人：日本電気株式会社

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