特許

J-GLOBAL ID：200903077777846769

不良検査方法および装置

発明者： 富松 聡 ,  長谷川 剛 ,  細木 茂行 ,  荒川 史子 ,  朝山 匡一郎 ,  三井 泰裕 ,  中原 仁 ,  川浪 義実
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141353
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326425
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 微細構造を持つデバイスの局所的な電気特性を測定し、不良を検出する。【解決手段】 走査型電子顕微鏡で観察しながら、探針移動制御回路18による制御で、探針移動機構14、15、16、17により、鋭利な先端を有する複数の探針1、2、3、4を、それぞれ試料電極5、6、7、8に接触電流が飽和するまで接近させ、確実に接触させる。測定に用いるすべての探針の接触が完了したら、電気特性測定回路19により探針間の電流電圧特性を測定し、素子の局所的電気特性を得る。【効果】 素子の局所的位置を直接探針であたることができるため、不良位置同定が容易となる。

請求項（抜粋）：

真空容器と、該真空容器に探針と該探針移動機構と、試料を載置する試料台と、荷電粒子源と、該荷電粒子源からのビームを照射する照射手段と、試料からの荷電粒子を検出する検出器と、該探針と試料間、または該探針間に電圧印加をする手段と、試料の電気特性を測定する手段を有する不良検査装置。

IPC (9件)：

H01L 21/66 ,  G01B 7/34 ,  G01N 37/00 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/302 ,  G01R 31/319 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (10件)：

H01L 21/66 B ,  H01L 21/66 C ,  G01B 7/34 Z ,  G01N 37/00 A ,  G01R 1/06 E ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/304 341 D ,  G01R 31/28 L ,  G01R 31/28 R ,  H01L 21/302 E

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227947   出願人：富士通株式会社
• 半導体評価解析装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-194145   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体試験装置及び半導体集積回路装置の試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227947   出願人：富士通株式会社
• 半導体評価解析装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-194145   出願人：三菱電機株式会社