表面処理方法及びその装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095066
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002992
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【構成】大気圧またはその近傍の圧力下で少なくとも酸素を含む放電用ガス中に気体放電を生じさせ、該放電により生成されるガス活性種によって基板6上の金属膜7表面に金属酸化膜9を形成する。放電用ガスが少なくとも水素または有機物を含む場合は、ガス活性種に基板11表面の透明電極などの金属酸化膜13を曝露させて還元する。また、液体表面での気体放電させることにより、液体自体を表面処理し、又はその液体を用いて基板等を表面処理する。また、気体放電によるガス活性種を斜め方向に当てて、液晶パネル用ガラス基板に配向膜を形成する。【効果】基板上の配線や電極等の腐食を有効に防止できる。透明電極の透明度を維持しつつ、低抵抗化を図ることができる。気体放電に曝露させた液体に酸化等の表面処理能力を付与できる。液晶パネル用ガラス基板表面に非接触で配向膜が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

液体の表面付近において大気圧またはその近傍の圧力下で所定のガス中に気体放電を生じさせることを特徴とする表面処理方法。

IPC (7件)：

C23C22/73 , C23F1/14 , C23G5/00 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1337 , H01L21/306

FI (7件)：

C23C22/73 Z , C23F1/14 , C23G5/00 , G02F1/13 101 , G02F1/1333 500 , G02F1/1337 , H01L21/306 Z

Fターム (53件)：

2H088FA21 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088HA02 , 2H088HA03 , 2H088MA18 , 2H088MA20 , 2H090HB12Y , 2H090HC03 , 2H090HC09 , 2H090HC16 , 2H090HC18 , 2H090JC07 , 2H090JC09 , 2H090JC19 , 2H090LA01 , 2H090MA02 , 2H090MB14 , 4K026AA06 , 4K026AA09 , 4K026CA11 , 4K026CA16 , 4K026DA03 , 4K026EA13 , 4K053PA06 , 4K053PA10 , 4K053PA12 , 4K053PA17 , 4K053QA07 , 4K053RA03 , 4K053SA06 , 4K053TA24 , 4K053XA24 , 4K053XA50 , 4K057WA01 , 4K057WB04 , 4K057WB05 , 4K057WC05 , 4K057WE30 , 4K057WN01 , 5F043AA37 , 5F043AA40 , 5F043BB27 , 5F043DD30 , 5F043EE01 , 5F043EE06 , 5F043EE07 , 5F043EE23 , 5F043EE25 , 5F043EE33 , 5F043EE40 , 5F043GG02 , 5F043GG04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-362184
特開昭55-100204
ボンディングパッドを備えた半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-231846 出願人：三菱電機株式会社

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