カーボン系物質の作製方法及び作製装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：東田潔 , 山下雅昭 , 打揚洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129106
公開番号（公開出願番号）：特開2004-332044
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】カーボン系物質の長さ分布を向上させ、基板面内分布の良いカーボン系物質をフィラメントCVD法により成長させる方法及び装置の提供。【解決手段】基板上に成長するカーボン系物質の長さ分布が均一になるように基板との間の距離を設定して設けられた複数のフィラメントであって、フィラメント相互の間隔を所定の範囲に設定して設けられたフィラメントを用い、原料ガスをフィラメントと接触させて分解せしめ、カーボン系物質を成長させる。フィラメント相互の間隔が基板-フィラメント間の距離の10分の1から1000分の1までの距離になるように各フィラメントを設け、また、フィラメント相互の間隔(f)を式:f≦2rd/h(但し、式中、hは基板に設けた孔や溝のホール高さ、2rはホール底面の直径、dは基板-フィラメント間距離)を満足する距離とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フィラメントCVD法により、触媒を有する基板上に原料ガスからカーボン系物質を作製する際に、成長するカーボン系物質の長さ分布が均一になるように基板との間の距離を設定して設けられた複数のフィラメントであって、この複数のフィラメントの相互の間隔を所定の範囲に設定して設けられたフィラメントを用い、原料ガスをこのフィラメントと接触させて分解せしめ、基板上にカーボン系物質を成長させることを特徴とするカーボン系物質の作製方法。

IPC (4件)：

C23C16/26 , C01B31/02 , C23C16/44 , H01L21/285

FI (4件)：

C23C16/26 , C01B31/02 101F , C23C16/44 A , H01L21/285 C

Fターム (30件)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC33 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF21 , 4M104HH20 , 5F045AA03 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AD10 , 5F045AF03 , 5F045DP03 , 5F045EC01 , 5F045EK08 , 5F045EK22

引用特許：

審査官引用 (3件)

ダイヤモンド合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-324001 出願人：住友電気工業株式会社
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-198583 出願人：株式会社アルバック
特開平3-281106

引用文献：

審査官引用 (1件)

Carbon monoxide-assisted growth if carbon nanotubes

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