特許

J-GLOBAL ID：200903077857724621

シリコン系薄膜光電変換装置

発明者： 山本 憲治 ,  多和田 裕子
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058172
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261011
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】増大した開放端電圧を示し、もって改善された光電変換特性を有するシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】透明前面電極膜(12)と、一導電型層(131)、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット(13)と、透明裏面導電膜(14)と、裏面金属電極膜(15)とを備える。透明裏面導電膜(14)は、光電変換ユニット(13)側から順に、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する高抵抗透明導電性酸化物層(141)と、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する低抵抗透明導電性酸化物層(142)を含む。

請求項（抜粋）：

透明前面電極膜と、一導電型層、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層および逆導電型層を含むシリコン系薄膜光電変換ユニットと、透明裏面導電膜と、裏面金属電極膜とを備え、前記透明裏面導電膜は、前記光電変換ユニット側から順に、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する高抵抗透明導電性酸化物層と、アルミニウムおよび/またはガリウムを含有する低抵抗透明導電性酸化物層を含むことを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (19件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051CA02 ,  5F051CA04 ,  5F051CA16 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA09 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-242509   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349593   出願人：キヤノン株式会社