特許
J-GLOBAL ID：200903077894788745

半導体装置

発明者：
石井 和敏

石井 和敏 について

, 
近江 俊彦

近江 俊彦 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301121
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319629
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 静電気的耐性の高い半導体集積回路装置の提供。【解決手段】 入出力保護用トランジスタのチャネル幅方向に関して、チャネル長を変化させた所望のサイズで設けた半導体装置の構成を成す。
請求項（抜粋）：
複数のMOS型電界効果型トランジスタから構成される半導体集積回路において、入出力方向側チャネル長が入出力方向反対側チャネル長より長く設けられたNMOSトランジスタ型保護素子を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 27/08 102 F ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H
Fターム (15件)：
5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048CC08 ,  5F048CC10 ,  5F048CC11 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC18 ,  5F140AA38 ,  5F140AB01 ,  5F140BF51 ,  5F140DA01 ,  5F140DA08
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (7件)
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