特許

J-GLOBAL ID：200903077928200416

強誘電体薄膜の成膜方法、半導体装置、その製造方法及びインクジェット方式の塗布機構

発明者： 赤沼 英幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279754
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086584
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体前駆体のゾルの無駄を低減しつつ成膜工程を簡略化できる強誘電体薄膜の成膜方法、半導体装置、その製造方法及びインクジェット方式の塗布機構を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜9上に下部電極12を形成する工程と、この下部電極12上にインクジェット方式の塗布機構を用いて強誘電体前駆体のゾルを塗布し、このゾルに熱処理を施すことにより該ゾルを結晶化させて強誘電体薄膜13を形成する工程と、この強誘電体薄膜13上に上部電極14を形成する工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

インクジェット方式の塗布機構を用いて所定領域に強誘電体前駆体のゾルを塗布する工程と、このゾルに熱処理を施すことにより、該ゾルを結晶化して強誘電体薄膜を成膜する工程と、を具備することを特徴とする強誘電体薄膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  B41J 2/01 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C ,  B41J 3/04 101 Z

Fターム (25件)：

2C056EA24 ,  2C056FB01 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083GA28 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子、その製造方法および半導体素子製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-105218   出願人：セイコーエプソン株式会社
• インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-222062   出願人：セイコーエプソン株式会社