特許
J-GLOBAL ID：200903077946848792

発光装置およびその作製方法

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-243496
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005324
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】あまり狭い幅の隔壁は形成できないため、高精細化することが困難であり、さらに発光素子としての開口率が低いという問題点があった。また、陽極が設けられた基板をEL材料を蒸着する装置に搬送する際には、静電破壊の恐れやゴミが付着する恐れがある。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に第1の電極と、第1の電極上に接して設けられた発光層と、発光層上に設けられた第2の電極とを有する発光素子と、を備えた発光装置であって、第1の場所で基板上にTFTおよび第1の電極を形成し、第1の電極の端部を覆う第1の隔壁を形成し、露呈している第1の電極の表面を研磨し、第1の電極および第1の隔壁を覆って全面に有機樹脂膜を形成し、第2の場所で有機樹脂膜をエッチングして第1の隔壁の側壁となる第2の隔壁を形成し、且つ、画素電極を露呈させた後、大気に触れさせることなく、第1の電極上に発光層を形成し、発光層上に第2の電極を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に第1の電極と、前記第1の電極上に接して設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の電極とを有する発光素子と、を備えた発光装置であって、 第1の場所で前記基板上にTFTおよび前記第1の電極を形成し、前記第1の電極の端部を覆う第1の隔壁を形成し、 露呈している前記第1の電極の表面を研磨し、 前記第1の電極および第1の隔壁を覆って全面に有機樹脂膜を形成し、 第2の場所で前記有機樹脂膜をエッチングして前記第1の隔壁の側壁となる第2の隔壁を形成し、且つ、画素電極を露呈させた後、大気に触れさせることなく、前記第1の電極上に前記発光層を形成し、 前記発光層上に前記第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/12
FI (4件)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B
Fターム (15件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC29 ,  3K107CC45 ,  3K107DD89 ,  3K107DD91 ,  3K107DD95 ,  3K107DD96 ,  3K107EE03 ,  3K107GG06 ,  3K107GG08 ,  3K107GG12 ,  3K107GG23 ,  3K107GG28
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM