発光装置およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038053
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334790
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】従来より劣化しにくい構造の発光素子により上記した課題を解決した寿命の長い発光素子を作製し、高品質な発光装置を作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】バンクを形成した後、露出した陽極表面をPVA(ポリビニルアルコール)系の多孔質体などを用いて拭い、平坦化およびゴミの除去を行う。また、TFT上の層間絶縁膜と陽極との間に、絶縁膜を形成する。もしくは、TFT上の層間絶縁膜表面をプラズマ処理することにより、表面を改質する。

請求項（抜粋）：

絶縁体上のTFTと、前記TFT上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の陽極と、前記TFTと前記陽極とを電気的に接続する配線と、バンクと、前記陽極および前記バンク上に第2の絶縁膜と、前記陽極上に前記第2の絶縁膜を介して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極とを含む発光装置であって、前記第1の絶縁膜は、プラズマ処理により形成された硬化膜であり、水素、窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガスから選ばれた一種または複数種の気体元素を含むことを特徴とする発光装置。

IPC (9件)：

H05B 33/22 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/312 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H05B 33/10 , H05B 33/12 , H05B 33/14

FI (10件)：

H05B 33/22 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 21/312 N , H01L 27/08 331 E , H05B 33/10 , H05B 33/12 B , H05B 33/14 A , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 612 A

Fターム (121件)：

3K007AB06 , 3K007AB12 , 3K007AB13 , 3K007AB14 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007GA00 , 5C094AA37 , 5C094AA38 , 5C094AA42 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB16 , 5C094GB10 , 5C094HA06 , 5C094HA08 , 5C094JA20 , 5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC16 , 5F058AA02 , 5F058AD04 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AD11 , 5F058AD12 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD19 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (19件)

特開平4-257826
アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-148014 出願人：シャープ株式会社
EL表示装置及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176521 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (19件)

特開平4-257826
アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-148014 出願人：シャープ株式会社
EL表示装置及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176521 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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