特許
J-GLOBAL ID：200903078000281519
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247712
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060303
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】戻り光ノイズに強く、非点隔差を良好に補正、あるいは少なくでき、動作電流を低減でき、しかも高温出力時においても安定に発振する半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】自励発振型半導体レーザ100において、ストライプ部107の中央の導波路ストライプ幅は一定であり、ストライプ部107の中央部(共振器中央部)でリッジ間凹部幅(リッジ分離幅)W2を、狭く設定し、端面側付近のリッジ分離幅W2’を中央部のリッジ分離幅W2より広く設定し、ストライプ部107のリッジ底部、および両側部のサイドウォールリッジ部108a,108bの底部に、製造時にはチャネルストッパとして機能する光ガイド層109a〜109cを選択的に形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、当該第2のクラッド層の中央部および両側部がリッジ構造をなし、ストライプ状の電流注入構造を備えた半導体レーザであって、上記各リッジ構造部間に形成される溝部の底部を除く上記各リッジ構造部の底部に、上記第2のクラッド層より屈折率の高い光ガイド層が形成され、かつ、上記リッジ分離部の幅が、ストライプ方向の中央部と端面付近で異なるように設定されている半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5D119AA12
, 5D119AA33
, 5D119BA01
, 5D119FA05
, 5D119FA17
, 5D119HA38
, 5D119NA04
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA86
, 5F073BA06
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA01
, 5F073EA13
, 5F073EA19
