半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161250
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008239
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】下地に形成されている材料や構造に対して悪影響を与えることなく、所望の特性を有する薄膜を形成することを可能とする。【解決手段】ダミー基板11上にフッ素添加ガラス膜12を形成し、これに予め熱処理を施しておく。これを配線層14等が形成された基板上に貼り付けた後、ダミー基板11を除去する。その後に行われる熱処理の処理温度は、前記熱処理の処理温度を越えない範囲に設定される。

請求項（抜粋）：

予め熱的処理又は化学的処理の少なくとも一方を施すことにより所望の特性を付与した固体物を半導体素子を形成するための基板の表面に被着して薄膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/316 Z , H01L 27/10 451 , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体部材及び半導体部材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-194138 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-118584 出願人：触媒化成工業株式会社
特開平4-148525

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