特許

J-GLOBAL ID：200903078035407698

磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ

発明者： 清水 豊 ,  大島 弘敬 ,  長坂 恵一 ,  瀬山 喜彦 ,  田中 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345651
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152239
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 大きな磁気抵抗変化を安定した状態で得ることが可能な磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブを提供する。【解決手段】 実質的に磁化方向が固定された第1の強磁性層と、外部磁界に対して自由に磁化方向を変化させる第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層を分離する非磁性中間層とを有する積層膜と、当該積層膜の積層方向にセンス電流を印加する手段を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第2の強磁性層は、非磁性金属層によって積層方向に分離された2つ以上の強磁性金属層から構成されることを特徴とする

請求項（抜粋）：

実質的に磁化方向が固定された第1の強磁性層と、外部磁界に対して自由に磁化方向を変化させる第2の強磁性層と、前記第1及び第2の強磁性層を分離する非磁性中間層とを有する積層膜と、当該積層膜の積層方向にセンス電流を印加する手段を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第2の強磁性層は、非磁性金属層によって積層方向に分離された2つ以上の強磁性金属層から構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39

Fターム (5件)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265664   出願人：株式会社東芝
• 磁気センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088231   出願人：株式会社東芝
• スピン・バルブ・センサを備えた磁気読取りヘッド、磁気ヘッド組立体、これらの作成方法および磁気ディスク・ドライブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-173750   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069622   出願人：株式会社日立製作所