特許
J-GLOBAL ID：200903021809871269
磁気センサー
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088231
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289943
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】MR比の大きい磁気抵抗効果型磁気センサーを提供する。【解決手段】MOSFET2は半導体基板11に形成されたソース領域12、ドレイン領域13、ゲート絶縁膜16を介して形成されたゲート電極としての下地電極20により構成されている。TMR素子1は下地電極20上にゲート引き出し電極18と隣接しかつ離隔して形成され、その上面には定電流を流し込むバイアス電極17が形成されている。上記構成において、TMR素子1に定電流を流し、MOSFET2のゲートデバイスを変化させ、TMR素子1のMR比を増幅した出力をMOSFET2のソース・ドレイン電流として得る。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板表面に形成された一対のソース・ドレイン領域と、前記一対のソース・ドレイン領域で挟まれた半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に電気的に接続され、第1の反強磁性層と、第1の強磁性層と、第1のトンネルバリア層と、第2の強磁性層と、第2のトンネルバリア層と、第3の強磁性層と、第2の反強磁性層とがこの順に積層された強磁性トンネル接合素子と、を具備することを特徴とする磁気センサー。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034BA15
, 5D034BA16
, 5D034BB14
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB10
, 5E049DB12
