特許
J-GLOBAL ID：200903078100638279
プラズマ処理方法、記憶媒体及びプラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
別役 重尚
, 村松 聡
, 後藤 夏紀
, 池田 浩
, 二宮 浩康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-165014
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165827
出願日： 2006年06月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】ウエハW上の半導体デバイスに形成されたトランジスタの高誘電率ゲート絶縁膜としてのハフニウム酸化膜、及びハードマスクに高スパッタでエッチング処理を施す際、ウエハWをプラズマ処理装置10のチャンバ11内に搬入し、該チャンバ11内の処理空間Sにアルゴンガス、キセノンガス及び水素ガスを所定の流量比で供給し、処理空間Sに高周波電力を印加して供給された処理ガスからプラズマを発生させ、ハードマスクに対する選択比を確保しながらハフニウム酸化膜をエッチングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
高誘電率ゲート絶縁膜及びハードマスクが形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記処理ガスは希ガス及び還元ガスを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/302 101B
, H01L21/302 301N
, H01L21/302 301S
5F004AA04
, 5F004BA09
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB28
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA27
, 5F004EA06
, 5F004EA07
