特許

J-GLOBAL ID：200903088620077585

エッチング装置及びエッチング方法

発明者： 早矢仕 学
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-064403
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252186
出願日： 2004年03月08日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 下層膜や基板のエッチングを抑えて、高誘電率膜のエッチングを行う。【解決手段】 高誘電率膜が形成された試料基板をエッチングするエッチング装置において、試料基板を収納する処理室と、処理室内において、試料基板を載置する載置台と、処理室内に、試料基板をエッチングする反応性ガスを供給する反応性ガス供給口と、処理室内に載置された試料基板に光を照射するフラッシュランプとを設ける。エッチングの際には、反応性ガス供給口から、反応性ガスを導入した後、フラッシュランプを発光させ、試料基板に、フラッシュランプ光を所定回数照射する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高誘電率膜が形成された試料基板をエッチングするエッチング装置において、 前記試料基板を収納する処理室と、 前記処理室内において、前記試料基板を載置する載置台と、 前記処理室内に、前記試料基板をエッチングする反応性ガスを供給する反応性ガス供給口と、 前記処理室内に載置された前記試料基板に光を照射するフラッシュランプと、 を備えることを特徴とするエッチング装置。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101

Fターム (17件)：

5F004AA02 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB05 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA24 ,  5F004DA29 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-267101   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• デジタルエッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-056049   出願人：堀池靖浩, 日本真空技術株式会社
• 半導体メモリデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-138899   出願人：三菱電機株式会社
• エネルギアシステッド原子層堆積及び除去の方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-516231   出願人：アヴィザテクノロジーインコーポレイテッド