特許
J-GLOBAL ID：200903078103172459
反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
波多野 久
, 関口 俊三
, 猿渡 章雄
, 古川 潤一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108320
公開番号（公開出願番号）：特開2005-289744
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】室温から高温度までの広い使用温度範囲において優れた構造強度,耐食性,耐久性等を有し、小型で複雑形状を有する構造体であっても高い寸法精度で容易かつ効率的に製造することが可能な反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法を提供する。【解決手段】炭化ケイ素粉末と炭素粉末とバインダーとを混合して成る原料混合体を成形して溝付きの板状成形体2を複数個作製し、これらの複数の板状成形体2を接着剤で仮接合することにより上記溝1を細孔5として内部に備えた積層体を形成し、得られた積層体について脱バインダー処理を実施して脱脂体とした後に、この脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素粉末と炭素粉末とバインダーとを混合して成る原料混合体を成形して溝付きの板状成形体を複数個作製し、これらの複数の板状成形体を接着剤で仮接合することにより上記溝を細孔として内部に備えた積層体を形成し、得られた積層体について脱バインダー処理を実施して脱脂体とした後に、この脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法。
IPC (3件)：
C04B35/573
, B01J19/02
, F28F21/02
C04B35/56 101V
, B01J19/02
, F28F21/02
4G001BA22
, 4G001BA33
, 4G001BA60
, 4G001BA62
, 4G001BB22
, 4G001BC17
, 4G001BC22
, 4G001BC23
, 4G001BC25
, 4G001BC32
, 4G001BC33
, 4G001BC34
, 4G001BC35
, 4G001BC47
, 4G001BC52
, 4G001BC54
, 4G001BC73
, 4G001BD02
, 4G001BD12
, 4G001BD23
, 4G001BD37
, 4G001BE31
, 4G001BE35
, 4G075AA45
, 4G075AA53
, 4G075BB10
, 4G075DA02
, 4G075EE33
, 4G075FB04
