DRAMの転送方式

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-022194
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195077
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】バーストDRAMの利点である高速性を維持しつつ、シンクロナスDRAMのようにアドレス指定がバースト転送単位ごとにできるという利点を有し、かつ、従来の転送方式との互換性が良好なDRAMのアクセス方式を提供する。【構成】バースト転送モードではOEはその電位の変化を起動信号として、バースト転送を開始する。また、バースト転送はCASまたはRASをトグルすることによってこれをあたかもクロック信号のようにデータ出力と同期させる。これによって、独自にクロック回路をDRAMに付設する必要がなくなる。さらにOEはバースト転送モードから動作モードの切り替えにより従来のようにデータの出力の可否を決するスイッチとしての作用も維持する。これによって、従来のDRAM転送方式との高い互換性を保持する。

請求項（抜粋）：

電位の遷移に同期して第一の方向のアドレスをラッチする第一の信号線と、電位の遷移に同期して上記第一の方向と直交する第二の方向のアドレスをラッチするための第二の信号線と、第三の信号線とを少なくとも有するDRAMの転送方式であって、上記第三の信号線の電位の変化を検出したときに、上記ラッチされた上記第一の方向のアドレスと上記ラッチされた上記第二の方向のアドレスに係わるデータビットからバースト転送を開始する、DRAMの転送方式。

IPC (2件)：

G11C 7/00 312 , G11C 11/401

引用特許：

審査官引用 (5件)

メモリ集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032455 出願人：日本電気株式会社, 新潟日本電気株式会社
特開昭58-196671
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-256959 出願人：日本電気株式会社

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