特許
J-GLOBAL ID：200903078105921530

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
中澤 敏志

中澤 敏志 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151051
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324263
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】ソース電極及びドレイン電極のコンタクト抵抗が小さく且つ電極の形成が容易な電界効果トランジスタを実現できるようにする。【解決手段】電界効果トランジスタは、基板10の上に形成され、一般式がInxAlyGa1-yN(0<x≦1、0≦y<1、0<x+y≦1)で表されるキャップ層25を含む窒化物半導体積層体20と、キャップ層25の上に互いに間隔をおいて形成されたノンアロイのソース電極31及びノンアロイのドレイン電極32とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成され、一般式がInxAlyGa1-yN(0<x≦1、0≦y<1、0<x+y≦1)で表される化合物からなるキャップ層を含む窒化物半導体積層体と、 前記キャップ層の上に互いに間隔をおいて形成されたノンアロイのソース電極及びノンアロイのドレイン電極とを備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V
Fターム (100件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC03 ,  5F102HC10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE22 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭64-057680
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-140251   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090490   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (4件)
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