特許
J-GLOBAL ID：200903007692653777

再成長オーミックコンタクト領域を有する窒化物ベースのトランジスタの製作方法及び再成長オーミックコンタクト領域を有する窒化物ベースのトランジスタ

発明者：
アダム ウィリアム サクスラー

アダム ウィリアム サクスラー について

, 
リチャード ピーター スミス

リチャード ピーター スミス について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-527194
公開番号（公開出願番号）：特表2007-538402
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
トランジスタ製作は、基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層上に障壁層を形成すること、窒化物ベースのチャネル層のコンタクト領域を露出させるように障壁層にコンタクト凹部を形成すること、例えば、低温堆積プロセスを使用して、窒化物ベースのチャネル層の露出されたコンタクト領域上にコンタクト層を形成すること、コンタクト層上にオーミックコンタクトを形成すること、及びオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトを形成すること、を含んでいる。また、高電子移動度トランジスタ(HEMT)及びHEMTの製作方法が提供される。HEMTは、基板上の窒化物ベースのチャネル層と、窒化物ベースのチャネル層上の障壁層と、チャネル層の中まで延びる、障壁層のコンタクト凹部と、コンタクト凹部の中の窒化物ベースのチャネル層上の窒化物ベースのn型半導体材料のコンタクト領域と、窒化物ベースのコンタクト領域上のオーミックコンタクトと、このオーミックコンタクトに隣接した障壁層上に配置されたゲートコンタクトと、を含んでいる。窒化物ベースのn型半導体材料のコンタクト領域及び窒化物ベースのチャネル層は、表面積拡大構造を含んでいる。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物ベースのチャネル層を形成するステップと、 前記窒化物ベースのチャネル層上に障壁層を形成するステップと、 前記窒化物ベースのチャネル層のコンタクト領域を露出させるように、前記障壁層にコンタクト凹部を形成するステップと、 低温堆積プロセスを使用して、前記窒化物ベースのチャネル層の前記露出されたコンタクト領域上にコンタクト層を形成するステップと、 前記コンタクト層上にオーミックコンタクトを形成するステップと、 前記オーミックコンタクトに隣接した前記障壁層上に配置されたゲートコンタクトを形成するステップと を有することを特徴とするトランジスタの製作方法。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B
Fターム (38件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD79 ,  4M104EE17 ,  4M104FF03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR15 ,  5F102GS03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (16件)
  • 米国特許第5,192,987号明細書
  • 米国特許第Re.34,861号明細書
  • 米国特許第4,946,547号明細書
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審査官引用 (6件)
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