特許
J-GLOBAL ID:200903078125032316

有機双安定素子を用いた不揮発性メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-178363
公開番号(公開出願番号):特開2006-013491
出願日: 2005年06月17日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 不揮発性メモリに用いる有機双安定素子を提供する。【解決手段】 有機双安定素子10は、金属ナノクラスタ層13が第1、第2の有機層12,15の間に配置された状態で前記第1、第2の有機層12,15を間に挟んだ第1、第2の金属電極11,16を備える。前記素子は、前記金属ナノクラスタ層13と前記金属電極の1つ16との間に配置された第1の電子ブロック層14を更に備える。このような構造により、改善された電荷保持特性を有する有機双安定素子が得られる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
金属ナノクラスタ層が第1、第2の有機層の間に配置された状態で前記第1、第2の有機層を間に挟んだ第1、第2の金属電極と、 前記金属ナノクラスタ層と前記金属電極の1つとの間に配置された電子ブロック層と、 を備えることを特徴とする有機双安定素子。
IPC (3件):
H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  G11C 13/00
FI (3件):
H01L27/10 449 ,  G11C13/00 A ,  H01L29/28
Fターム (8件):
5F083FZ07 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA44 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22
引用特許:
出願人引用 (5件)
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引用文献:
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