特許
J-GLOBAL ID：200903099835305840
高効率の電界発光デバイスのための構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571006
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525808
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：
【要約】実質的に透明な陽極(111);該陽極を覆う正孔輸送層(112);該正孔輸送層を覆う発光層(113);該発光層を覆う障壁層(114);該障壁層を覆う電子輸送層(115);および該電子輸送層と電気的接触状態にある陰極(117)を有するピクセルを含んでいる発光デバイス(100)。
請求項（抜粋）：
ピクセルを含んでいる発光デバイスであって、該ピクセルが: 実質的に透明な陽極; 該陽極を覆う正孔輸送層; 該正孔輸送層を覆う発光層; 該発光層を覆う障壁層; 該障壁層を覆う電子輸送層;および 該電子輸送層と電気的接触状態にある陰極を含んで成る上記の発光デバイス。
IPC (4件)：
H05B 33/22
, C09K 11/06 645
, C09K 11/06 660
, H05B 33/14
H05B 33/22 B
, H05B 33/22 D
, C09K 11/06 645
, C09K 11/06 660
, H05B 33/14 B
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
