特許
J-GLOBAL ID:200903080966802684
有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
吉武 賢次
, 中村 行孝
, 紺野 昭男
, 横田 修孝
, 浅野 真理
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-076558
公開番号(公開出願番号):特開2004-304180
出願日: 2004年03月17日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】 構造が単純で製造工程の増加を招くことがなく、かつスイッチング電圧の低い有機双安定性素子およびこれを用いたメモリ装置、およびそれらの駆動方法を提供する。【解決手段】第1電極と第2電極との間に積層体が設けられた積層構造を有してなる有機双安定性素子であって、前記積層体が、導電性薄膜を介して、いずれも誘電性であって互いに導電性の異なる二層以上の有機薄膜が積層されたものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1電極と第2電極との間に積層体が設けられた積層構造を有してなる有機双安定性素子であって、前記積層体が、導電性薄膜を介して、いずれも誘電性であって互いに導電性の異なる二層以上の有機薄膜が積層されたものである、有機双安定性素子。
IPC (3件):
H01L27/10
, G11C11/22
, H01L51/00
FI (3件):
H01L27/10 449
, G11C11/22 501P
, H01L29/28
Fターム (5件):
5F083FZ07
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA28
, 5F083LA01
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-161431
出願人:科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
-
WO 02/37500パンフレット
-
特開平3-072670
全件表示
審査官引用 (5件)
-
特開平3-072670
-
特開平3-072670
-
有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-161431
出願人:科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
全件表示
前のページに戻る