GaN系半導体発光素子を備えた光源装置および迷光除去方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024230
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 GaN系半導体発光素子を備えた光源装置において、発光素子の駆動電流変化による光スポット形状の変動を防止する。【解決手段】 GaN系半導体発光素子20を備えた光源装置において、半導体発光素子20から発せられた光21から、該半導体発光素子20の最大出力下では全出力の20%以下となる迷光を除去する、スリット板等の空間フィルタ23を設ける。

請求項（抜粋）：

GaN系半導体発光素子を備えた光源装置において、前記GaN系半導体発光素子から発せられた光から、該半導体発光素子の最大出力下では全出力の20%以下となる迷光を除去する空間フィルタが設けられたことを特徴とするGaN系半導体発光素子を備えた光源装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (2件)：

H01L 33/00 M , H01S 5/02

Fターム (34件)：

5F041AA14 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA39 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CB05 , 5F041EE11 , 5F041EE22 , 5F041EE25 , 5F041FF16 , 5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073AB27 , 5F073AB29 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA07 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230537 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭63-136018
特開昭49-104590

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