特許

J-GLOBAL ID：200903078163531466

半導体集積回路の不良検出方法及び不良検出装置

発明者： 松下 宏 ,  光武 邦寛 ,  牛久 幸広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278194
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359266
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 不良パターン並びに予め想定していない不良パターンを高感度に自動検出する不良パターンの検出方法並びに不良パターンの検出装置を提供する。【解決手段】 半導体集積回路の不良パターンを、その対称性あるいは周期性を表す繰り返し単位に重ね合せることにより強調した後、特徴量化して自動検出する。また空間的に偏って存在する不良の偏りの程度を表す特徴量と、予め想定した不良パターンの存在を表す特徴量とを照合することで、予め想定していない不良パターンの存在を自動検出する。また、2個以上の特徴量を成分とするベクトルより構成される数ベクトル空間において、前記数ベクトル空間内に1個の不良モードに対して領域を設定し、前記領域と前記特徴量を成分とするベクトルを照合することにより、前記不良モードの存在を判定するようにしても良い。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上に形成された集積回路の不良の位置情報を抽出する第1の工程と、前記位置情報を前記半導体ウェーハ面内の空間的繰り返し単位で重ね合わせる第2の工程と、この重ね合せによって算出されたデータから空間的繰り返し性不良の度合いを示す特徴量を算出する第3の工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の不良検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28

FI (3件)：

H01L 21/66 A ,  G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 H

Fターム (17件)：

2G003AA10 ,  2G003AB00 ,  2G003AG03 ,  2G003AH01 ,  2G003AH05 ,  2G132AA08 ,  2G132AD15 ,  2G132AE23 ,  2G132AF14 ,  2G132AL11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA26 ,  4M106DA14 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マスク共通欠陥判定の方法および装置ならびにマスク共通欠陥チップ測定除外の方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073484   出願人：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 半導体不良原因絞込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026201   出願人：株式会社日立製作所
• 欠陥の分類方法およびその装置並びに教示用データ作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-225083   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-004231