特許
J-GLOBAL ID：200903078175622173

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
中谷 康雄

中谷 康雄 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-188383
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009040
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体ウェハの所望の部位を高い選択比で精度良く異方的にエッチングするための半導体装置の製造方法に関する。【解決手段】 酸化膜絶縁層16の表面にフローティングゲート18Cとするためのポリシリコン層を埋め込む。ポリシリコン層と直交する方向に延在するコントロールゲート22を形成する。ポリシリコン層の露出部分をドライエッチングで除去することによりフローティングゲート18Cを形成する。酸化膜絶縁層16の溝の中に残存する残渣18Bは、ウェットエッチングによって除去する。
請求項（抜粋）：
非エッチング部分がマスクで被われた状況下で、所定材質のエッチング対象部分をドライエッチングにより除去する第1エッチングステップと、前記エッチング対象部分に残存する前記所定材質の残渣をウェットエッチングにより除去する第2エッチングステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43
FI (8件)：
H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/62 G
Fターム (30件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD64 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104HH20 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA10 ,  5F004EA29 ,  5F033HH04 ,  5F033HH28 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX21 ,  5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043CC16 ,  5F043DD15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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