特許
J-GLOBAL ID：200903078186790590

半導体装置およびその製造方法

発明者：
塩沢 勝臣

塩沢 勝臣 について

, 
大石 敏之

大石 敏之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076159
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270544
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ分離構造を有する半導体装置において、寄生MOSトランジスタの発生を抑制することにより分離特性を向上させる。【解決手段】 シリコン基板1の主表面にはトレンチ2が形成され、このトレンチ2内からシリコン基板1の主表面よりも上方に突出するように分離絶縁膜20が形成される。この分離絶縁膜20においてシリコン基板1の主表面よりも上方に位置する部分は、トレンチの側壁上端コーナ部2aを覆うように張出す張出部7を含む。
請求項（抜粋）：
素子間を分離するためのトレンチが主表面に形成された半導体基板と、前記トレンチ内に充填され、かつ前記主表面よりも上方に突出するように形成された分離絶縁膜とを備え、前記分離絶縁膜において前記主表面よりも上方に位置する部分は、前記トレンチの側壁上端コーナ部を覆うように前記主表面に沿って張出す張出部を含む、半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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