特許
J-GLOBAL ID：200903078227354350

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田原 傑

田原 傑 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333274
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141407
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 開口部近傍で緩やかなテーパ面をもつ高精度で信頼性が高いトレンチを提供する。【解決手段】 半導体基板表面にトレンチを形成する工程が、ハロゲン化水素とフロロカーボンの混合ガスを用いてマスクから露呈する半導体基板表面を選択的にエッチングする第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程の後、ハロゲン含有ガスと、酸素または窒素との混合ガスプラズマを用いて半導体基板表面をエッチングする第2のエッチング工程と、前記第2のエッチング工程の後、ハロゲン含有ガスと、酸素との混合ガスプラズマを用いて半導体基板表面をエッチングする第3のエッチング工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成されたトレンチを具備し、前記トレンチ側壁が、トレンチ開口部で緩やかなテーパ角をもつ第1のテーパ面と、所定の深さよりも深い領域で前記テーパ角よりも急峻なテーパ角をなす第2のテーパ面とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 29/78 653 B ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 658 G
Fターム (30件)：
5F004AA11 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004EA28 ,  5F004EB04 ,  5F004EB05 ,  5F032AA36 ,  5F032AA67 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA28 ,  5F032DA30 ,  5F038AC10 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F040DC01 ,  5F040EC24 ,  5F040EK05 ,  5F040FC21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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