半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232561
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074339
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】良好な電気特性の溝型素子分離領域を得る。【解決手段】この発明による半導体装置は、溝型の素子分離領域を、テーパー角A1、A2、A3を構成して屈曲する側壁を持ち、この側壁が半導体基板の表面に平行な位置関係にある底面を有する溝の内部に形成し、テーパー角A1、A2、A3がA1<A2、A3<A2、A1<83 ゚の条件を満たす状態とすることで、A1、A3を比較的小さな角度として逆ナローチャネル効果を抑制し、電気特性の安定化を図り、A2を比較的大きな角度とすることで素子分離領域の深さ方向の寸法を確保し、素子分離特性の向上を図る。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された溝の内壁に付着して成膜されたシリコン酸化膜、上記シリコン酸化膜上に堆積され、上記溝を埋設する埋め込み酸化膜を有し、上記溝の側壁は上記半導体基板の表面から上記溝の底面に向かってテーパ角A1、A2、A3を構成して順次屈曲し、上記テーパ角はA1<A2、A3<A2、A1<83 ゚の条件を満たすことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-198362
特開昭58-220444
特開昭63-234534

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