特許
J-GLOBAL ID：200903078241111053
CVD成膜装置及びCVD成膜装置用内部電極の清掃方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
今下 勝博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-066818
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268550
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、内部電極と電極汚れとの強固な付着を防止して、電極汚れを短時間にしかも容易に除去することができる内部電極清掃機構を備えたCVD成膜装置を提供することである。【解決手段】本発明に係るCVD成膜装置は、プラスチック容器を収納する外部電極と該プラスチック容器の内部に挿脱可能に配置される接地した内部電極並びに該内部電極が該プラスチック容器内の挿入時に内部電極と外部電極とが絶縁状態となる蓋とからなる密封可能な成膜チャンバーと、プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にCVD(化学気相成長)膜を成膜するプラズマCVD成膜装置であって、該CVD成膜装置は、内部電極の外表面を機械的に払拭する汚れ除去手段を備え、且つ内部電極は硬質金合金メッキを施した導電性管状基体で形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
プラスチック容器を収納する外部電極と該プラスチック容器の内部に挿脱可能に配置される接地した内部電極並びに該内部電極が該プラスチック容器内の挿入時に内部電極と外部電極とが絶縁状態となる蓋とからなる密封可能な成膜チャンバーと、前記プラスチック容器の内部にプラズマ化させる原料ガスを導入する原料ガス導入手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段とを備えたプラスチック容器の内表面にCVD(化学気相成長)膜を成膜するプラズマCVD成膜装置であって、該CVD成膜装置は、前記内部電極の外表面を機械的に払拭する汚れ除去手段を備え、且つ内部電極は硬質金合金メッキを施した導電性管状基体で形成したことを特徴とするCVD成膜装置。
Fターム (10件)：
4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030CA07
, 4K030CA15
, 4K030DA06
, 4K030FA03
, 4K030JA09
, 4K030KA14
, 4K030KA15
, 4K030KA47
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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