特許
J-GLOBAL ID：200903078244421029

不揮発性強誘電体メモリ素子の駆動回路

発明者：
姜 煕 福

姜 煕 福 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-239567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076480
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 セルアレイ部を二つに分割してその中から任意のセルを選択できるようにした不揮発性強誘電体メモリ素子のレイアウトを効率的にし、かつチップのサイズを最小化し、素子の駆動能力を極大化できる駆動回路を提供する。【解決手段】 それぞれのセルアレイ部を駆動するローカルワードラインドライバのいずれか一方を活性化させ、他方を不活性化する制御信号をメインワードラインドライバから出力させるようにして、ローカルXデコーダ部からそれぞれのセルアレイのワードラインを駆動する駆動信号を双方のローカルワードラインドライバに共通に出力させる。
請求項（抜粋）：
それぞれ複数のセルアレイにより構成される第1セルアレイ部と第2セルアレイ部、複数のローカルワードラインドライバにより構成され、前記第1セルアレイ部に沿って形成され、任意のセルを駆動するための信号を出力する第1ローカルワードラインドライバ部、複数のローカルワードラインドライバにより構成され、前記第2セルアレイ部に沿って前記第1ローカルワードラインドライバ部の一方側に形成され、前記第2セルアレイ部の任意のセルを駆動するための信号を出力する第2ローカルワードラインドライバ部、前記第1ローカルワードラインドライバ部と第2ローカルワードラインドライバ部のうち任意の一つを活性化させる制御信号を出力するメインワードラインドライバ、前記任意のセルに対応する第1、第2スプリットワードラインに印加される駆動信号を前記第1、第2ローカルワードラインドライバ部に印加するローカルXデコーダ部を含むことを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ素子の駆動回路。
IPC (2件)：
G11C 11/22 ,  G11C 14/00
FI (2件)：
G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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