特許
J-GLOBAL ID:200903078276648378

交流動作エレクトロルミネッセンス素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 飯田 敏三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-036423
公開番号(公開出願番号):特開2005-116503
出願日: 2004年02月13日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】 素子の作成が比較的容易にできる分散型様の構造を有しながら、従来の分散型素子のみならず薄膜型素子をも凌ぐような高い発光輝度を実現し、発光ムラを抑えた交流動作エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】 蛍光体粒子(14a)を含む発光層(14)と、無機誘電体物質を含む絶縁層(16)を有する電界発光するエレクトロルミネッセンス素子において、該発光層と絶縁層の合計厚みが15μm未満であって、エレクトロルミネッセンス素子の電極(12、18)間の平均電界強度が0.05MV/cm以上で発光を開始する交流動作エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】図1
請求項(抜粋):
蛍光体粒子を含む発光層と、無機誘電体物質を含む絶縁層を有する電界発光するエレクトロルミネッセンス素子において、該発光層と絶縁層の合計厚みが15μm未満であって、エレクトロルミネッセンス素子の電極間の平均電界強度が0.05MV/cm以上で発光を開始することを特徴とする交流動作エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件):
H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (2件):
H05B33/14 Z ,  H05B33/22 Z
Fターム (4件):
3K007AB02 ,  3K007AB18 ,  3K007DA02 ,  3K007DA04
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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