特許
J-GLOBAL ID：200903078312807259
炭化珪素成形体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-169639
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017382
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：
【要約】【課題】 CVD法により炭化珪素膜を作製するのに適した炭素基材を用いることで亀裂や破損すること無しに高品質の炭化珪素成形体を効率的に製造する。【解決手段】 炭素材料を堆積用基材として用い、ハロゲン化有機珪素化合物を高温で還元熱分解しCVD法により基材表面に炭化珪素膜層を形成したのち、炭素基材を除去して炭化珪素成形体を方法において、黒鉛粉体と有機物質との混合体を賦形、焼成し得られる黒鉛とアモルファス炭素との複合材を炭素基材として用いる。
請求項（抜粋）：
炭素基材の表面に炭化珪素膜層を形成したのち、炭素基材を除去して炭化珪素成形体を得る方法において、炭素基材として黒鉛粉体と有機物質との混合体を焼成して得られる黒鉛とアモルファス炭素との複合材を用いることを特徴とする炭化珪素成形体の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 41/87
, B28B 1/30
, C04B 35/565
, C23C 16/56
C04B 41/87 V
, B28B 1/30
, C23C 16/56
, C04B 35/56 101 N
