超伝導材料の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福井國敞 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356802
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158307
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】超伝導材料の製造方法に関し,MgとBの同時スパッタリングにより,as-grown膜としてMgB2 膜を生成することにより,アニールすることなく超伝導特性を示す超伝導材料の製造方法を提供する。【解決手段】気体中に基板と,該基板に対向してマグネシウムターゲットおよびホウ素ターゲットを配置し,該基板とマグネシウムターゲット,および該基板とホウ素ターゲットの間に電圧を印加し,気体放電により生じる該マグネシウムとホウ素の同時スパッタリングにより,MgB2 のみのマグネシウムとホウ素の化合物の膜,もしくはMgB2 と組成比の異なるマグネシウムとホウ素の化合物もしくは単体Mgもしくは単体Bのうちの少なくとも一つとMgB2 を含むマグネシウムとホウ素の化合物の膜を基板に生成し,アニールすることなく該化合物の超伝導膜を生成する。

請求項（抜粋）：

気体中に基板と,該基板に対向してマグネシウムターゲットおよびホウ素ターゲットを配置し,該基板とマグネシウムターゲット,および該基板とホウ素ターゲットの間に電圧を印加し,気体放電により生じる該マグネシウムとホウ素の同時スパッタリングにより,MgB2 のみのマグネシウムとホウ素の化合物の膜,もしくはMgB2 と組成比の異なるマグネシウムとホウ素の化合物もしくは単体Mgもしくは単体Bのうちの少なくとも一つとMgB2 を含むマグネシウムとホウ素の化合物の膜を基板に生成し,アニールすることなく該化合物の超伝導膜を生成することを特徴とする超伝導材料の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 39/24 ZAA , C01B 35/04 , C01G 1/00 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , H01L 39/12

FI (7件)：

H01L 39/24 ZAA B , C01B 35/04 C , C01G 1/00 S , C23C 14/06 C , C23C 14/34 N , C23C 14/34 S , H01L 39/12 A

Fターム (20件)：

4G047JA03 , 4G047JC16 , 4G047KE04 , 4K029AA07 , 4K029AA08 , 4K029BA53 , 4K029BA64 , 4K029BB08 , 4K029BC04 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC27 , 4K029EA08 , 4K029JA02 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113BA04 , 4M113BA09 , 4M113CA16 , 4M113CA19

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-038313
超伝導材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-069950 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-038313

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引用文献：

審査官引用 (1件)

As-grown superconducting MgB2 thin films prepared by molecular beam epitaxy

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