基板抽出方法及びそれを用いた電子部品製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330542
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156393
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】材料を評価のために無駄に消費しない新たな電子部品製造方法を提供すること。【解決手段】試料に複数の加工プロセスを施して電子部品を形成する電子部品製造方法において、加工プロセスの終了時に上記試料の一部表面を摘出し、上記一部表面に対して上記加工プロセスでの加工の進捗をモニタまたは検査または解析のうちの少なくともいずれかを行なう工程を含む方法とする。【効果】ウェーハなど試料無駄に割断することなく評価でき電子部品の製造歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

基板に回路パターンを製造するプロセスの第1の加工工程と、前記加工工程の後前記加工工程で製造されたパターンの一部をイオンビームを用い所定の部分にイオンビームを照射し基板の一部を分離する工程と、回路パターンを製造する前記プロセスに前記一部分離された前記基板を戻して第2の加工をする工程とを有することを特徴する電子部品製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , B23K 15/00 505 , B23K 15/08 , G21K 5/04

FI (4件)：

H01L 21/66 Z , B23K 15/00 505 , B23K 15/08 , G21K 5/04 A

Fターム (22件)：

4E066AA01 , 4E066BA13 , 4E066CA15 , 4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AB20 , 4M106BA02 , 4M106BA03 , 4M106CA38 , 4M106CA70 , 4M106CB01 , 4M106CB02 , 4M106DG28 , 4M106DH01 , 4M106DH11 , 4M106DH24 , 4M106DH60 , 4M106DJ01 , 4M106DJ03 , 4M106DJ05 , 4M106DJ23 , 4M106DJ38

引用特許：

審査官引用 (2件)

試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210803 出願人：株式会社日立製作所
半導体の製造方法及び検査方法並びにそのための装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-267273 出願人：株式会社日立製作所

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