特許

J-GLOBAL ID：200903078352770811

GaNエピタキシャル層の成長方法

発明者： 関 壽 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  竹本 菊郎 ,  木村 浩也 ,  笠井 仁
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096203
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293697
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板上に良質のGaN結晶を成長させることができるGaNのエピタキシャル成長を提供すること。【解決手段】 本発明のGaNエピタキシャル層の成長方法は、GaAs基板10にGaNバッファ層20を成長させるステップと、GaNバッファ層20を形成した温度(例えば550°C)からGaNをエピタキシャル成長すべき温度(例えば1000°C)まで、GaAs基板10を35分以内で昇温するステップと、GaNバッファ層20上にGaNエピタキシャル層30を成長させるステップと、を含んでいる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板にGaNバッファ層を成長させるステップと、前記GaNバッファ層を形成した温度からGaNをエピタキシャル成長すべき温度まで、前記GaAs基板を35分以内で昇温するステップと、前記GaNバッファ層上にGaNエピタキシャル層を成長させるステップと、を含むことを特徴とするGaNエピタキシャル層の成長方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (44件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DP03 ,  5F052GC04 ,  5F052GC10 ,  5F052HA01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F052KA06 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078333   出願人：住友電気工業株式会社
• GaN単結晶の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-087962   出願人：古河電気工業株式会社