特許
J-GLOBAL ID:200903024798085028

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 越場 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-078333
公開番号(公開出願番号):特開平10-316498
出願日: 1998年03月11日
公開日(公表日): 1998年12月02日
要約:
【要約】【課題】 立方晶半導体(111) 基板上に形成されたGaN層を有するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備える。
請求項(抜粋):
立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハ。
IPC (4件):
C30B 29/38 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00
FI (4件):
C30B 29/38 D ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
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