エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：越場隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078333
公開番号（公開出願番号）：特開平10-316498
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：

【要約】【課題】立方晶半導体(111) 基板上に形成されたGaN層を有するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備える。

請求項（抜粋）：

立方晶半導体(111) 基板と、前記基板上に形成された厚さが60nm以上の第1のGaN層と、第1のGaN層上に形成された厚さ 0.1μm以上の第2のGaN層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 29/42 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (4件)：

C30B 29/38 D , C30B 29/42 , H01L 21/20 , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (8件)

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審査官引用 (8件)

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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