特許
J-GLOBAL ID：200903078386963341
多層窒化アルミニウム回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252816
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097861
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 従来の多層窒化アルミニウム回路基板においては、表面導体層上の液相成分量を低減することによって、メッキの被着性を高めることが課題とされている。【解決手段】 同時焼成により形成された内部導体層3を有する多層窒化アルミニウム基板2と、内部導体層3と電気的に接続され、同様に同時焼成により多層窒化アルミニウム基板2表面に形成された表面導体層4とを具備する多層窒化アルミニウム回路基板1である。多層窒化アルミニウム基板2の少なくとも一方の表面に形成された表面導体層4aは、その周辺の基板部分より突出された凸状形状を有している。
請求項（抜粋）：
多層窒化アルミニウム基板と、前記多層窒化アルミニウム基板との同時焼成により形成された内部導体層と、前記内部導体層と電気的に接続され、前記多層窒化アルミニウム基板表面に同時焼成により形成された表面導体層とを具備する多層窒化アルミニウム回路基板において、前記多層窒化アルミニウム基板の少なくとも一方の表面に形成された前記表面導体層は、その周辺の基板部分より突出された凸状形状を有していることを特徴とする多層窒化アルミニウム回路基板。
IPC (3件)：
H01L 23/13
, H01L 23/12
, H05K 3/46
H01L 23/12 C
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 N
