特許
J-GLOBAL ID：200903078397677839

半導体メモリ記憶装置

発明者：
梅澤 瑞樹

梅澤 瑞樹 について

, 
西田 要

西田 要 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060479
公開番号（公開出願番号）：特開2001-249890
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】バス使用効率を高められるようにし、番組データなどのデータをリアルタイムに記録することが可能な半導体メモリ記憶装置の実現を図る。【解決手段】メインバス100に接続されたメモリモジュール13-1〜13-Nは、複数のフラッシュEEPROM131と、これらフラッシュEEPROM131とメインバス100との間に設けられたバッファ132を備えている。メモリモジュール13-1〜13-Nへのデータ書き込みに際しては、入力プロセッサ11-1または11-2から該当するメモリモジュールのバッファ132へのデータ転送が連続的に実行される。そして、フラッシュEEPROM131のページサイズ単位で、バッファ132からフラッシュEEPROM131へのデータ書き込み動作が繰り返し実行される。
請求項（抜粋）：
データ入出力のためのバスを有し、このバスを介して半導体メモリとの間のデータ入出力を行う半導体メモリ記憶装置において、前記バスと前記半導体メモリとの間に、前記半導体メモリへの書き込みデータを一時保存するバッファを具備することを特徴とする半導体メモリ記憶装置。
IPC (5件)：
G06F 13/16 520 ,  G06F 12/00 560 ,  G06F 13/38 310 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (5件)：
G06F 13/16 520 C ,  G06F 12/00 560 B ,  G06F 13/38 310 A ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 636 A
Fターム (9件)：
5B025AD04 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5B060AB19 ,  5B060AC11 ,  5B060CB01 ,  5B060MB03 ,  5B060MM02 ,  5B077DD02
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235414   出願人：三菱電機株式会社
  • メモリインタフェース制御方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-180152   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立コンピュータエレクトロニクス

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