特許
J-GLOBAL ID：200903022575504190
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067574
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 ブロック消去型の不揮発性メモリへのデータ書き込みを低コストで効率よく高速に行うことができる半導体記憶装置を得る。【解決手段】 メモリ部4を形成する各メモリチップを、単位消去ブロックのデータを格納することができる第1バッファメモリ7及び第2バッファメモリ8の2つのバッファメモリ数に対する2倍の数のメモリグループである第1メモリ4aから第4メモリ4dに分けて使用すると共に、単位消去ブロックごとに異なるメモリグループに連続した論理セクタアドレスを割り当てるようにした。
請求項（抜粋）：
情報処理機器等からなるホストシステム装置に接続して使用される、ブロック消去型不揮発性メモリで構成された半導体記憶装置において、ブロック消去型不揮発性メモリの複数のICメモリで構成されるメモリ部と、上記ホストシステム装置から転送されて該メモリ部に格納するデータを一時的に格納するための複数のバッファメモリで構成されるバッファメモリ部と、上記ホストシステム装置からの指令に従って上記メモリ部及び該バッファメモリ部の動作制御を行う制御部とを備え、該制御部は、上記メモリ部に対して、メモリ部を形成する各ICメモリを複数のメモリグループに分け、単位消去ブロックごとに異なるメモリグループにそれぞれ連続した論理セクタアドレスを割り当てることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 11/34
, G11C 17/00 601 T
, G11C 17/00 612 F
5B015HH01
, 5B015HH03
, 5B015JJ21
, 5B015KA10
, 5B015KB52
, 5B015KB92
, 5B015NN09
, 5B015QQ16
, 5B025AA01
, 5B025AD01
, 5B025AD03
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AD13
, 5B025AE05
