特許
J-GLOBAL ID：200903078408274383
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284496
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213634
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリクス回路とそれを駆動するための周辺論理回路を結晶性TFTにより同一基板上に作製する。【構成】 結晶化を助長する触媒元素(例えばニッケル)非晶質珪素膜を導入する際に、周辺論理回路領域に非選択的に触媒元素を導入することにより、縦成長に結晶化を進行させる。他方、アクティブマトリクス回路領域には,選択的に触媒元素を導入することによって、横成長により結晶化を進行させる。この結果、それぞれの回路に適したTFTを形成することができ、特にアクティブマトリクス回路には、オフ電流が小さく、かつ、そのバラツキも少ないTFTを作製できる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性の珪素半導体を用いた薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス回路と、それを駆動するための周辺論理回路とを有する半導体装置において、前記アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタの結晶性珪素半導体は、非晶質珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加することによって結晶化されたのに対し、前記周辺論理回路の薄膜トランジスタの結晶性珪素半導体は、前記触媒元素を非選択的に添加することによって結晶化されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
