半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 箱崎幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-054330
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244072
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】ゲートリーク電流の小さいノーマリーオフ型の窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】組成式AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表わされるチャネル層2と、チャネル層2の上に形成され、組成式AlyGa1-yN(0≦y≦1、x 請求項（抜粋）：

組成式AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表わされる第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、組成式AlyGa1-yN(0≦y≦1、x IPC (6件)：

H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812

FI (3件)：

H01L29/80 C , H01L29/78 301B , H01L29/80 H

Fターム (41件)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD05 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR06 , 5F102GR12 , 5F140AA19 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB01 , 5F140BB03 , 5F140BB06 , 5F140BB11 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BC13 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF43 , 5F140BF44 , 5F140BH02 , 5F140BH30 , 5F140BJ00 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ25 , 5F140CD09

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開P2001-230407号公報
特開P2003-142501号公報
米国特許第6,521,961号公報

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審査官引用 (8件)

高移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-057070 出願人：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-019488 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭58-170070

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